Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 11, страницы 1554–1558 (Mi phts8077)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Исследование переходного слоя в гетероструктурах 3C-SiH/6H-SiC

А. А. Лебедев, М. В. Заморянская, С. Ю. Давыдов, Д. А. Кириленко, С. П. Лебедев, Л. М. Сорокин, Д. Б. Шустов, М. П. Щеглов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (814 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Методами ТЕМ и катодолюминесценции проведено исследование переходной области гетероструктур 3C-SiC/6H-SiC. Обнаружено, что данная область, как правило, состоит из чередования слоев 3C-SiC и 6H-SiC с возможным включением и других политипов карбида кремния. Высказано предположение, что подобная структура переходной области может быть объяснена на основе модели спинодального распада.
Поступила в редакцию: 03.04.2013
Принята в печать: 16.04.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 11, Pages 1539–1543
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613110134
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Лебедев, М. В. Заморянская, С. Ю. Давыдов, Д. А. Кириленко, С. П. Лебедев, Л. М. Сорокин, Д. Б. Шустов, М. П. Щеглов, “Исследование переходного слоя в гетероструктурах 3C-SiH/6H-SiC”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1554–1558; Semiconductors, 47:11 (2013), 1539–1543
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LebZamDav13}
\by А.~А.~Лебедев, М.~В.~Заморянская, С.~Ю.~Давыдов, Д.~А.~Кириленко, С.~П.~Лебедев, Л.~М.~Сорокин, Д.~Б.~Шустов, М.~П.~Щеглов
\paper Исследование переходного слоя в гетероструктурах 3\emph{C}-Si\emph{H}/6H-SiC
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 11
\pages 1554--1558
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8077}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319620}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 11
\pages 1539--1543
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613110134}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8077
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i11/p1554
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025