Магнитопоглощение в узкозонных эпитаксиальных слоях HgCdTe в терагерцовом диапазоне

Изучены спектры магнитопоглощения и фотопроводимости в терагерцовом диапазоне при температуре $T$ = 4.2 K объемных эпитаксиальных слоев $n$-Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te различных составов (как полупроводниковых, так и полуметаллического), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В рамках модели Кейна 8 $\cdot$ 8 выполнены расчеты уровней Ландау электронов и дырок. Показано, что в отличие от результатов ранних исследований все наблюдаемые резонансные линии связаны с переходами между уровнями Ландау свободных носителей (циклотронный резонанс в зоне проводимости и переходы между уровнями Ландау тяжелых дырок и электронов), что свидетельствует о высокой чистоте и структурном совершенстве образцов. Показана возможность использования бесщелевых твердых растворов Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te в качестве перестраиваемых магнитным полем фотоприемников терагерцового диапазона.