Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 12, страницы 1580–1585 (Mi phts8081)  
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Исследование многослойных полупроводниковых SiGe-структур методами рентгеновской дифрактометрии, малоугловой рефлектометрии и масс-спектрометрии вторичных ионов

П. А. Юнин, Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, С. А. Королев, Д. Н. Лобанов

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (390 kB) Список цитирования (6)
Аннотация: В рамках данной работы проведено исследование многослойной непериодической структуры SiGe/Si методами рентгеновской дифрактометрии, малоугловой рефлектометрии и вторично-ионной масс-спектрометрии. Особое внимание уделяется обработке измеренного профиля распределения состава в методе вторично-ионной масс-спектрометрии и учету наиболее существенных экспериментальных искажений, создаваемых методом. Предложена методика обработки измеряемого профиля распределения состава с последовательным учетом влияния матричных эффектов, вариации скорости травления и артефактов ионного распыления. Результаты такой обработки сравниваются с моделью структуры, полученной при совместном анализе данных рентгеновской дифроктометрии и малоугловой рефлектометрии. Установлено хорошее соответствие между результатами. Показано, что совместное использование независимых методов позволяет усовершенствовать методики вторично-ионной масс-спектрометрии и малоугловой рефлектометрии применительно к анализу многослойных гетероэпитаксиальных структур, повысить их точность и информативность.
Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 12, Pages 1556–1561
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613120221
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. А. Юнин, Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, С. А. Королев, Д. Н. Лобанов, “Исследование многослойных полупроводниковых SiGe-структур методами рентгеновской дифрактометрии, малоугловой рефлектометрии и масс-спектрометрии вторичных ионов”, Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013), 1580–1585; Semiconductors, 47:12 (2013), 1556–1561
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YunDroDro13}
\by П.~А.~Юнин, Ю.~Н.~Дроздов, М.~Н.~Дроздов, С.~А.~Королев, Д.~Н.~Лобанов
\paper Исследование многослойных полупроводниковых SiGe-структур методами рентгеновской дифрактометрии, малоугловой рефлектометрии и масс-спектрометрии вторичных ионов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 12
\pages 1580--1585
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8081}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319624}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 12
\pages 1556--1561
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613120221}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8081
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i12/p1580
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025