Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 12, страницы 1586–1590 (Mi phts8082)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Двумерный полуметалл в широких квантовых ямах HgTe: энергетический спектр носителей и магнитотранспорт

А. В. Германенкоa, Г. М. Миньковb, О. Э. Рутa, А. А. Шерстобитовb, С. А. Дворецкийc, Н. Н. Михайловc

a Институт естественных наук, Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина, Екатеринбург
b Институт физики металлов УрО РАН, г. Екатеринбург
c Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований магнитосопротивления, эффекта Холла и эффекта Шубникова–де-Гааза, выполненных на полупроводниковых гетероструктурах с одиночной квантовой ямой бесщелевого полупроводника HgTe шириной 20.2 нм. Исследования проведены на образцах с полевым электродом в широком диапазоне концентраций и дырок. Анализ экспериментальных данных позволил реконструировать энергетический спектр электронов и дырок вблизи экстремумов подзон размерного квантования. Показано, что закон дисперсии носителей заряда в исследованных системах отличается от закона, рассчитанного в рамках стандартной $kp$-модели.
Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 12, Pages 1562–1566
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613120063
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Германенко, Г. М. Миньков, О. Э. Рут, А. А. Шерстобитов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, “Двумерный полуметалл в широких квантовых ямах HgTe: энергетический спектр носителей и магнитотранспорт”, Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013), 1586–1590; Semiconductors, 47:12 (2013), 1562–1566
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GerMinRut13}
\by А.~В.~Германенко, Г.~М.~Миньков, О.~Э.~Рут, А.~А.~Шерстобитов, С.~А.~Дворецкий, Н.~Н.~Михайлов
\paper Двумерный полуметалл в широких квантовых ямах HgTe: энергетический спектр носителей и магнитотранспорт
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 12
\pages 1586--1590
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8082}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319625}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 12
\pages 1562--1566
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613120063}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8082
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i12/p1586
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025