Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 12, страницы 1599–1603 (Mi phts8085)  
Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Латеральная фотопроводимость структур с квантовыми точками Ge/Si

В. Ю. Паневинa, А. Н. Софроновa, Л. Е. Воробьевa, Д. А. Фирсовa, В. А. Шалыгинa, М. Я. Винниченкоa, Р. М. Балагулаa, А. А. Тонкихbc, P. Wernerb, B. Fuhrmannd, G. Schmidte

a Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 29, Санкт-Петербург, Россия
b Max Planck Institute of Microstructure Physics, Weinberg 2, 06120 Halle(Saale), Germany
c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
d Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg, Interdisziplinäres Zentrum für Materialwissenschaften (IZM), Heinrich-Damerow-Str. 4 D-06120 Halle(Saale)
e Institut für Physik, Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg, Von-Danckelmann-Platz 3, D-06120 Halle(Saale)
PDF полного текста (274 kB) Список цитирования (13)
Аннотация: Исследованы спектры продольной фотопроводимости и оптического поглощения, обусловленного внутризонными оптическими переходами дырок в квантовых точках Ge/Si, при различных температурах решетки. Обнаружены поляризационно-зависимые спектральные особенности, связанные с оптическими переходами дырок из основного состояния квантовых точек. Экспериментально наблюдается температурное гашение сигнала фотопроводимости, обусловленное обратным захватом неравновесных свободных дырок на связанные состояния квантовых точек. Полученные экспериментальные данные позволили определить высоту приповерхностного изгиба зон на гетерогранице квантовой точки.
Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 12, Pages 1574–1577
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613120154
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Ю. Паневин, А. Н. Софронов, Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, В. А. Шалыгин, М. Я. Винниченко, Р. М. Балагула, А. А. Тонких, P. Werner, B. Fuhrmann, G. Schmidt, “Латеральная фотопроводимость структур с квантовыми точками Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013), 1599–1603; Semiconductors, 47:12 (2013), 1574–1577
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PanSofVor13}
\by В.~Ю.~Паневин, А.~Н.~Софронов, Л.~Е.~Воробьев, Д.~А.~Фирсов, В.~А.~Шалыгин, М.~Я.~Винниченко, Р.~М.~Балагула, А.~А.~Тонких, P.~Werner, B.~Fuhrmann, G.~Schmidt
\paper Латеральная фотопроводимость структур с квантовыми точками Ge/Si
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 12
\pages 1599--1603
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8085}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319628}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 12
\pages 1574--1577
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613120154}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8085
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i12/p1599
    • Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025