Оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с комбинированными слоями квантовых ям и точек In(Ga)As/GaAs

Проведен анализ влияния встраивания квантовой ямы InGaAs в структуры с квантовыми точками InAs/GaAs, выращенными газофазной эпитаксией в режиме с увеличенным временем прерывания роста, на их оптоэлектронные свойства. Установлено, что энергетический спектр квантовых точек слабо чувствителен к изменениям толщины и состава двойного покровного слоя InGaAs/GaAs. Нанесение квантовой ямы на слой квантовых точек снижает эффективную высоту эмиссионного барьера в них. Определены условия, при которых квантовая яма может быть использована для защиты активного слоя квантовых точек от проникновения дефектов, возникающих при анодном окислении поверхности структуры.