Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 12, страницы 1613–1616 (Mi phts8088)  
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Исследования структуры ферромагнитного слоя GaMnSb

А. И. Бобров, Е. Д. Павлова, А. В. Кудрин, Н. В. Малехонова

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (1067 kB) Список цитирования (7)
Аннотация: Исследована кристаллическая структура и состав пленки GaMnSb, полученной на подложке GaAs (100) методом осаждения из лазерной плазмы в потоке водорода при температуре 400$^\circ$C. Обнаружено образование включений GaMn в матрице GaSb : Mn, в стехиометрическом соотношении Ga$_{162.5}$Mn$_{101.5}$.
Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 12, Pages 1587–1590
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613120038
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. И. Бобров, Е. Д. Павлова, А. В. Кудрин, Н. В. Малехонова, “Исследования структуры ферромагнитного слоя GaMnSb”, Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013), 1613–1616; Semiconductors, 47:12 (2013), 1587–1590
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BobPavKud13}
\by А.~И.~Бобров, Е.~Д.~Павлова, А.~В.~Кудрин, Н.~В.~Малехонова
\paper Исследования структуры ферромагнитного слоя GaMnSb
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 12
\pages 1613--1616
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8088}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319631}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 12
\pages 1587--1590
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613120038}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8088
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i12/p1613
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025