Исследование гетероструктур с комбинированным слоем квантовых точек/квантовой ямы In(Ga)As/GaAs и $\delta$-слоем Mn

С помощью методов высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии и фотоэлектрической спектроскопии исследовано влияние встраивания $\delta$-слоя Mn и методики выращивания покровного слоя GaAs в структурах с квантовыми точками и ямами In(Ga)As/GaAs на их кристаллические и оптоэлектронные характеристики. Обнаружено, что в структуре с $\delta$-слоем Mn низкотемпературный покровный слой GaAs является структурно-неоднородным и может являться причиной снижения фоточувствительности от квантовых точек.