|
|
Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 12, страницы 1621–1623
(Mi phts8090)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.
Модель роста наноостровков кремния на сапфире
Н. О. Кривулин, Д. А. Павлов, П. А. Шиляев Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
Уточняется модель роста наноостровков кремния на сапфире в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что рост островков кремния происходит за счет диффузии материала из смачивающего слоя, при этом рост за счет прямого попадания атомов вклада практически не дает.
Поступила в редакцию: 22.04.2013 Принята в печать: 30.04.2013
Образец цитирования:
Н. О. Кривулин, Д. А. Павлов, П. А. Шиляев, “Модель роста наноостровков кремния на сапфире”, Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013), 1621–1623; Semiconductors, 47:12 (2013), 1595–1597
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts8090 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i12/p1621
|
|