|
|
Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 12, страницы 1630–1635
(Mi phts8092)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.
Использование квазиупругого и неупругого приближений для описания динамики носителей заряда в алмазе
Ю. М. Белоусов, В. Р. Соловьев, И. В. Черноусов Московский физико-технический институт,
141700 Долгопрудный, Россия
Аннотация:
Проведены численные оценки различий квазиупругого и неупругого приближений для расчета подвижности носителей заряда в алмазе в пространственно однородном и одномерном случаях. Результаты для стационарной подвижности в квазиупругом и неупругом приближениях в пространственно однородном случае различаются примерно в 6 раз при 20 K. В одномерном случае при постоянном источнике частиц, расположенном в глубине образца, результаты для подвижности тяжелых дырок в квазиупругом и неупругом приближениях практически совпадают. В случае начальной функции распределения, расположенной на границе образца, зависимость подвижности от времени в квазиупругом и неупругом приближениях получается существенно различной. Полученные результаты важны для интерпретации электрофизических экспериментов в алмазе.
Поступила в редакцию: 22.04.2013 Принята в печать: 30.04.2013
Образец цитирования:
Ю. М. Белоусов, В. Р. Соловьев, И. В. Черноусов, “Использование квазиупругого и неупругого приближений для описания динамики носителей заряда в алмазе”, Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013), 1630–1635; Semiconductors, 47:12 (2013), 1604–1609
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts8092 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i12/p1630
|
|