Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 12, страницы 1630–1635 (Mi phts8092)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Использование квазиупругого и неупругого приближений для описания динамики носителей заряда в алмазе

Ю. М. Белоусов, В. Р. Соловьев, И. В. Черноусов

Московский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Россия
Аннотация: Проведены численные оценки различий квазиупругого и неупругого приближений для расчета подвижности носителей заряда в алмазе в пространственно однородном и одномерном случаях. Результаты для стационарной подвижности в квазиупругом и неупругом приближениях в пространственно однородном случае различаются примерно в 6 раз при 20 K. В одномерном случае при постоянном источнике частиц, расположенном в глубине образца, результаты для подвижности тяжелых дырок в квазиупругом и неупругом приближениях практически совпадают. В случае начальной функции распределения, расположенной на границе образца, зависимость подвижности от времени в квазиупругом и неупругом приближениях получается существенно различной. Полученные результаты важны для интерпретации электрофизических экспериментов в алмазе.
Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 12, Pages 1604–1609
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613120026
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. М. Белоусов, В. Р. Соловьев, И. В. Черноусов, “Использование квазиупругого и неупругого приближений для описания динамики носителей заряда в алмазе”, Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013), 1630–1635; Semiconductors, 47:12 (2013), 1604–1609
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BelSolChe13}
\by Ю.~М.~Белоусов, В.~Р.~Соловьев, И.~В.~Черноусов
\paper Использование квазиупругого и неупругого приближений для описания динамики носителей заряда в алмазе
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 12
\pages 1630--1635
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8092}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319635}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 12
\pages 1604--1609
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613120026}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8092
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i12/p1630
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025