Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 12, страницы 1636–1641 (Mi phts8093)  

Эта публикация цитируется в 17 научных статьях (всего в 17 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Deposition and characterization of molybdenum thin films using DC-plasma magnetron sputtering

Majid Khana, Mohammad  Islamb

a School of Chemical & Materials Engineering, National University of Sciences & Technology, Islamabad 44000, Pakistan
b Center of Excellence for Research in Engineering Materials, Advanced Manufacturing Institute, P.O. Box 800, King Saud University, Riyadh 11421, Saudi Arabia
Аннотация: Molebdenum (Mo) thin films were deposited on well-cleaned soda-lime glass substrates using DC-plasma magnetron sputtering. In the design of experiment, deposition was optimized for maximum beneficial characteristics by monitoring effect of process variables such as deposition power (100–200 W). Their electrical, structural and morphological properties were analyzed to study the effect of these variables. The electrical resistivity of Mo thin films could be reduced by increasing deposition power. Within the range of analyzed deposition power, Mo thin films showed a monocrystalline nature and the crystallites were found to have an orientation along [110] direction. The surface morphology of thin films showed that a highly dense microstructure has been obtained. The surface roughness of films increased with deposition power. Adhesion of Mo thin films could be improved by increasing the deposition power. Atomic force microscopy was used for the topographical study of the films and to determine the roughness of the films. X-ray diffractrometer and scanning electron microscopy analysis were used to investigate the crystallinity and surface morphology of the films. Hall effect measurement system was used to find resistivity, carrier mobility and carrier density of deposited films. The adhesion test was performed using scotch hatch tape adhesion test. Mo thin films prepared at deposition power of 200 W, substrate temperature of 23$^\circ$C and Ar pressure of 0.0123 mbar exhibited a monocrystalline structure with an orientation along (110) plane, thickness of $\sim$ 550 nm and electrical resistivity value of 0.57 $\cdot$ 10$^{-4}$ Omega $\cdot$ cm.
Поступила в редакцию: 24.04.2012
Принята в печать: 18.09.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 12, Pages 1610–1615
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613140017
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: Majid Khan, Mohammad Islam, “Deposition and characterization of molybdenum thin films using DC-plasma magnetron sputtering”, Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013), 1636–1641; Semiconductors, 47:12 (2013), 1610–1615
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhaIsl13}
\by Majid~Khan, Mohammad ~Islam
\paper Deposition and characterization of molybdenum thin films using DC-plasma magnetron sputtering
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 12
\pages 1636--1641
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8093}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319636}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 12
\pages 1610--1615
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613140017}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8093
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i12/p1636
  • Эта публикация цитируется в следующих 17 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025