Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 12, страницы 1647–1652 (Mi phts8095)  
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Исследование поляризаций нитридных соединений (Al,Ga,AlGa)N и зарядовой плотности различных интерфейсов на их основе

И. А. Супрядкинаab, К. К. Абгарянb, Д. И. Бажановab, И. В. Мутигуллинb

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
b Вычислительный центр им. А. А. Дородницына РАН, г. Москва
PDF полного текста (221 kB) Список цитирования (9)
Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования на основе расчетов из первых принципов поляризационных свойств полупроводников AlN, GaN и AlGaN со структурой вюрцита. Для данных нитридных соединений рассчитаны значения спонтанной, пьезоэлектрической поляризаций и пьезоэлектрических констант. В целях дальнейшего рассмотрения перспективных гетероструктур на основе соединений (Al,Ga,AlGa)N были оценены значения зарядовых плотностей на интерфейсах AlN/GaN, AlGaN/AlN, AlGaN/GaN и концентрация носителей на гетерогранице AlGaN/GaN, приведено сравнение с экспериментальными данными.
Поступила в редакцию: 29.10.2012
Принята в печать: 19.03.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 12, Pages 1621–1625
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261312018X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. А. Супрядкина, К. К. Абгарян, Д. И. Бажанов, И. В. Мутигуллин, “Исследование поляризаций нитридных соединений (Al,Ga,AlGa)N и зарядовой плотности различных интерфейсов на их основе”, Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013), 1647–1652; Semiconductors, 47:12 (2013), 1621–1625
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SupAbgBaz13}
\by И.~А.~Супрядкина, К.~К.~Абгарян, Д.~И.~Бажанов, И.~В.~Мутигуллин
\paper Исследование поляризаций нитридных соединений (Al,Ga,AlGa)N и зарядовой плотности различных интерфейсов на их основе
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 12
\pages 1647--1652
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8095}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319638}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 12
\pages 1621--1625
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261312018X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8095
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i12/p1647
    • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025