Получение и исследование $p$–$n$-структур с кристаллическими включениями в области пространственного заряда

Предложена новая модель соединительных элементов для монолитных многопереходных солнечных фотопреобразователей на основе соединений A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$, где вместо туннельных $p^{++}$–$n^{++}$-переходов используются $p$–$n$-переходы с кристаллическими включениями инородного полупроводникового материала в области пространственного заряда. Исследования показали, что введение кристаллических включений в область пространственного заряда $p$–$n$-перехода в структуре на основе GaSb позволяет обеспечить прохождение тока $\sim$ 50 А/см$^2$ при значениях омического сопротивления на уровне $\sim$ 0.01 Ом $\cdot$ см$^2$. Полученные характеристики соединительных элементов с кристаллическими включениями демонстрируют возможность их использования в многопереходных солнечных элементах при преобразовании концентрированного оптического излучения.