Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 1, страницы 24–31 (Mi phts8117)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Магнитная восприимчивость твердых растворов (Bi$_{2-x}$Sb$_x$)Te$_3$ (0 $<x<$ 1) в диапазоне температур от 2 до 50 K

Н. П. Степановa, В. Ю. Наливкинb, Г. А. Потаповa

a Забайкальский государственный гуманитарно-педагогический университет им. Н.Г. Чернышевского, 672000 Чита, Россия
b Читинский государственный университет, 672045 Чита, Россия
Аннотация: Сверхпроводящий квантовый интерферометр Джозефсона (СКВИД-магнетометр) использован для исследования температурных зависимостей магнитной восприимчивости $\chi$ кристаллов твердых растворов (Bi$_{2-x}$Sb$_x$)Te$_3$ (0 $<x<$ 1) в диапазоне температур от 2 до 50 K, при ориентации вектора напряженности магнитного поля $\mathbf{H}$ по отношению к тригональной оси кристалла $C_3$ : $\mathbf{H}\parallel C_3$ и $\mathbf{H}\perp C_3$. Установлено, что магнитная восприимчивость ионного остова исследованных образцов равна $\chi^G$ = -0.35 $\cdot$ 10$^{-6}$ см$^3$/г, вкладом дефектов кристаллической решетки в магнитную восприимчивость можно пренебречь, а вклад свободных носителей заряда во всем исследованном температурном интервале имеет диамагнитный характер. Показано, что в рамках подхода Паули и Ландау–Пайерлса удается описать вклад свободных носителей заряда в результирующую магнитную восприимчивость и ее анизотропию. В ходе расчета магнитной восприимчивости, выполненного с учетом постоянства концентрации свободных носителей заряда, находящихся в состоянии сильного вырождения, обнаружено, что наблюдается изменение характера температурной зависимости анизотропных эффективных масс от химического состава кристалла. Возможно, что это связано со сложной структурой валентной зоны и ее изменением при увеличении количества Sb$_2$Te$_3$ в составе твердого раствора.
Поступила в редакцию: 09.06.2011
Принята в печать: 15.06.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 1, Pages 22–28
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612010198
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. П. Степанов, В. Ю. Наливкин, Г. А. Потапов, “Магнитная восприимчивость твердых растворов (Bi$_{2-x}$Sb$_x$)Te$_3$ (0 $<x<$ 1) в диапазоне температур от 2 до 50 K”, Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012), 24–31; Semiconductors, 46:1 (2012), 22–28
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SteNalPot12}
\by Н.~П.~Степанов, В.~Ю.~Наливкин, Г.~А.~Потапов
\paper Магнитная восприимчивость твердых растворов (Bi$_{2-x}$Sb$_x$)Te$_3$ (0 $<x<$ 1) в диапазоне температур от 2 до 50 K
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 1
\pages 24--31
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8117}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319048}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 1
\pages 22--28
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612010198}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8117
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i1/p24
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025