Излучательная рекомбинация горячих носителей в узкозонных полупроводниках

Исследован механизм излучательной рекомбинации горячих носителей зярада в узкозонных полупроводниках на примере антимонида индия. Показано, что при высоких уровнях возбуждения СНСС-процесс оже-рекомбинации может привести к существенному разогреву носителей заряда. Найдены функция распределения горячих носителей и их концентрация. В рамках модели Кейна выполнен расчет скорости излучательной рекомбинации горячих носителей заряда, а также коэффициента усиления излучения. Показано, что при больших концентрациях носителей излучательная рекомбинация горячих электронов будет вносить существенный вклад в общую скорость излучательной рекомбинации.