|
|
Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 1, страницы 38–43
(Mi phts8119)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Термо- и фотопроводимость кристаллов CuI $p$-типа проводимости
А. Н. Грузинцев, В. Н. Загороднев Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Россия
Аннотация:
Исследовано влияние отжига в вакууме кристаллов иодида меди ($p$-типа проводимости) на их электрическое сопротивление, прозрачность, термо- и фотопроводимость в видимой и фиолетовой областях спектра. Показано, что проводимость и прозрачность CuI увеличиваются при низких температурах отжига и уменьшаются с ростом температуры отжига в вакууме в течение 60 мин. Установлена связь данных процессов с образованием собственных дефектов донорного или акцепторного типа в кристаллической решетке иодида меди.
Поступила в редакцию: 15.06.2011 Принята в печать: 20.06.2011
Образец цитирования:
А. Н. Грузинцев, В. Н. Загороднев, “Термо- и фотопроводимость кристаллов CuI $p$-типа проводимости”, Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012), 38–43; Semiconductors, 46:1 (2012), 35–40
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts8119 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i1/p38
|
|