Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 1, страницы 44–47 (Mi phts8120)  
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Концентрационная зависимость ширины запрещенной зоны твердых растворов Mn$_x$Fe$_{1-x}$In$_2$S$_4$

И. В. Боднарь

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220013 Минск, Белоруссия
PDF полного текста (205 kB) Список цитирования (7)
Аннотация: На кристаллах тройных соединений MnIn$_2$S$_4$, FeIn$_2$S$_4$ и твердых растворов Mn$_x$Fe$_{1-x}$In$_2$S$_4$, выращенных направленной кристаллизацией расплава, исследованы спектры пропускания в области края собственного поглощения. По зарегистрированным спектрам определена ширина запрещенной зоны указанных соединений и их твердых растворов, а также построена ее концентрационная зависимость. Установлено, что ширина запрещенной зоны с составом x изменяется нелинейно и описывается квадратичной зависимостью.
Поступила в редакцию: 02.06.2011
Принята в печать: 15.06.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 1, Pages 41–44
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261201006X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. В. Боднарь, “Концентрационная зависимость ширины запрещенной зоны твердых растворов Mn$_x$Fe$_{1-x}$In$_2$S$_4$”, Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012), 44–47; Semiconductors, 46:1 (2012), 41–44
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Bon12}
\by И.~В.~Боднарь
\paper Концентрационная зависимость ширины запрещенной зоны твердых растворов Mn$_x$Fe$_{1-x}$In$_2$S$_4$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 1
\pages 44--47
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8120}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319051}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 1
\pages 41--44
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261201006X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8120
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i1/p44
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025