Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 1, страницы 48–52 (Mi phts8121)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Лазерно-стимулированная десорбция атомных и молекулярных фрагментов с поверхности диоксида олова, модифицированной тонким органическим покрытием фталоцианина меди

А. С. Комолов, С. А. Комолов, Э. Ф. Лазнева, А. М. Туриев

Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет
Аннотация: Исследованы закономерности лазерно-стимулированной десорбции с поверхности SnO$_2$ при воздействии 10-нс импульсного излучения неодимового лазера при энергии кванта 2.34 эВ в диапазоне плотности энергий в импульсе от 1 до 50 мДж/см$^2$. По достижении порогового значения энергии в импульсе 28 мДж/см$^2$ в масс-спектрах десорбции с поверхности SnO$_2$ обнаружено присутствие молекулярного кислорода O$_2$, а по достижении порогового значения энергии в импульсе 42 мДж/см$^2$ наблюдается десорбция олова Sn и частиц SnO и (SnO)$_2$. Измерены масс-спектры лазерной десорбции с поверхности SnO$_2$, покрытой органической пленкой фталоцианина меди (CuPc) толщиной 50 нм. Показано, что лазерное воздействие вызывает фрагментацию молекул CuPc и десорбцию молекулярных фрагментов в диапазоне плотности энергий лазерного импульса от 6 до 10 мДж/см$^2$. Наряду с десорбцией молекулярных фрагментов, в этом же энергетическом диапазоне наблюдается слабый десорбционный сигнал компонент подложки O$_2$, Sn, SnO и (SnO)$_2$. Энергетические пороги десорбции атомных компонент подложки с поверхности органической пленки примерно в 5 раз ниже порогов их десорбции с атомно-чистой поверхности SnO$_2$, что свидетельствует о диффузии атомных компонент SnO$_2$ подложки в объем осаждаемой органической пленки.
Поступила в редакцию: 17.05.2011
Принята в печать: 26.05.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 1, Pages 45–48
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612010125
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Комолов, С. А. Комолов, Э. Ф. Лазнева, А. М. Туриев, “Лазерно-стимулированная десорбция атомных и молекулярных фрагментов с поверхности диоксида олова, модифицированной тонким органическим покрытием фталоцианина меди”, Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012), 48–52; Semiconductors, 46:1 (2012), 45–48
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KomKomLaz12}
\by А.~С.~Комолов, С.~А.~Комолов, Э.~Ф.~Лазнева, А.~М.~Туриев
\paper Лазерно-стимулированная десорбция атомных и молекулярных фрагментов с поверхности диоксида олова, модифицированной тонким органическим покрытием фталоцианина меди
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 1
\pages 48--52
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8121}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319052}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 1
\pages 45--48
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612010125}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8121
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i1/p48
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025