|
|
Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 1, страницы 48–52
(Mi phts8121)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Спектроскопия, взаимодействие с излучениями
Лазерно-стимулированная десорбция атомных и молекулярных фрагментов с поверхности диоксида олова, модифицированной тонким органическим покрытием фталоцианина меди
А. С. Комолов, С. А. Комолов, Э. Ф. Лазнева, А. М. Туриев Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет
Аннотация:
Исследованы закономерности лазерно-стимулированной десорбции с поверхности SnO$_2$ при воздействии 10-нс импульсного излучения неодимового лазера при энергии кванта 2.34 эВ в диапазоне плотности энергий в импульсе от 1 до 50 мДж/см$^2$. По достижении порогового значения энергии в импульсе 28 мДж/см$^2$ в масс-спектрах десорбции с поверхности SnO$_2$ обнаружено присутствие молекулярного кислорода O$_2$, а по достижении порогового значения энергии в импульсе 42 мДж/см$^2$ наблюдается десорбция олова Sn и частиц SnO и (SnO)$_2$. Измерены масс-спектры лазерной десорбции с поверхности SnO$_2$, покрытой органической пленкой фталоцианина меди (CuPc) толщиной 50 нм. Показано, что лазерное воздействие вызывает фрагментацию молекул CuPc и десорбцию молекулярных фрагментов в диапазоне плотности энергий лазерного импульса от 6 до 10 мДж/см$^2$. Наряду с десорбцией молекулярных фрагментов, в этом же энергетическом диапазоне наблюдается слабый десорбционный сигнал компонент подложки O$_2$, Sn, SnO и (SnO)$_2$. Энергетические пороги десорбции атомных компонент подложки с поверхности органической пленки примерно в 5 раз ниже порогов их десорбции с атомно-чистой поверхности SnO$_2$, что свидетельствует о диффузии атомных компонент SnO$_2$ подложки в объем осаждаемой органической пленки.
Поступила в редакцию: 17.05.2011 Принята в печать: 26.05.2011
Образец цитирования:
А. С. Комолов, С. А. Комолов, Э. Ф. Лазнева, А. М. Туриев, “Лазерно-стимулированная десорбция атомных и молекулярных фрагментов с поверхности диоксида олова, модифицированной тонким органическим покрытием фталоцианина меди”, Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012), 48–52; Semiconductors, 46:1 (2012), 45–48
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts8121 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i1/p48
|
|