Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 1, страницы 109–112 (Mi phts8129)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Исследование электрофизических и газочувствительных свойств слоев нанокомпозита por-Si/SnO$_x$

В. В. Болотов, В. Е. Росликов, Е. А. Курдюкова, О. В. Кривозубов, Ю. А. Стенькин, Д. В. Чередов

Омский филиал Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 644018 Омск, Россия
PDF полного текста (257 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Исследованы электрофизические характеристики и чувствительность к химическим реагентам слоев гетерофизических нанокомпозитов на основе пористого кремния и нестехиометрического диоксида олова por-Si/SnO$_x$, полученных методом магнетронного напыления олова с последующим окислением. Показано, что в слоях нанокомпозитов формируется система распределенных гетеропереходов (нанокристаллы Si/SnO$_x$), определяющих электрические характеристики таких структур. Определена чувствительность тестовых сенсорных структур, созданных на основе нанокомпозитов por-Si/SnO$_x$ к NO$_2$. Предложен механизм влияния адсорцбии молекул NO$_2$ на вольт-амперные характеристики гетеропереходов por-Si(p)/SnO$_x$(n).
Поступила в редакцию: 09.06.2011
Принята в печать: 15.06.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 1, Pages 105–108
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612010058
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Болотов, В. Е. Росликов, Е. А. Курдюкова, О. В. Кривозубов, Ю. А. Стенькин, Д. В. Чередов, “Исследование электрофизических и газочувствительных свойств слоев нанокомпозита por-Si/SnO$_x$”, Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012), 109–112; Semiconductors, 46:1 (2012), 105–108
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BolRosKur12}
\by В.~В.~Болотов, В.~Е.~Росликов, Е.~А.~Курдюкова, О.~В.~Кривозубов, Ю.~А.~Стенькин, Д.~В.~Чередов
\paper Исследование электрофизических и газочувствительных свойств слоев нанокомпозита por-Si/SnO$_x$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 1
\pages 109--112
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8129}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319060}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 1
\pages 105--108
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612010058}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8129
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i1/p109
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025