Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 1, страницы 125–129 (Mi phts8132)  
Эта публикация цитируется в 45 научных статьях (всего в 45 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Экспериментальное исследование умножителей частоты на полупроводниковых сверхрешетках в терагерцовом диапазоне частот

Д. Г. Павельевa, Ю. И. Кошуриновa, А. С. Ивановa, А. Н. Панинb, В. Л. Ваксb, В. И. Гавриленкоb, А. В. Антоновb, В. М. Устиновc, А. Е. Жуковd

a Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
d Санкт-Петербургский академический университет – научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (276 kB) Список цитирования (45)
Аннотация: Проведено экспериментальное исследование умножителя частоты на полупроводниковой квантовой сверхрешетке GaAs/AlAs. Измерялся спектр мощности гармоник выходного сигнала умножителя с частотой входного сигнала 140–160 ГГц. В исследовании использовались планарные диоды с малой активной областью размером 1–2 мкм$^2$. Для изготовления диодов применялись выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии структуры сильно легированных сверхрешеток с шириной мини-зоны 24 мэВ. Измерения проводились при помощи спектрометра с преобразованием Фурье “BOMEM” DA3.36, оснащенного приемником на основе охлаждаемого до температуры жидкого гелия болометра. По результатам измерений построены графики зависимости мощности гармоник от частоты в диапазоне 0.4 до 8.1 ТГц. Определено, что характер распределения СВЧ мощности по номерам гармоник близок к спектру последовательности знакопеременных импульсов, возникающих в цепи диода при превышении приложенного напряжения входного сигнала над пороговым напряжением диода. Рассчитанные по результатам измерений минимальное время установления фронта импульсов и длительность импульсов равны 123 и 667 фс.
Поступила в редакцию: 06.06.2011
Принята в печать: 15.06.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 1, Pages 121–125
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612010150
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. Г. Павельев, Ю. И. Кошуринов, А. С. Иванов, А. Н. Панин, В. Л. Вакс, В. И. Гавриленко, А. В. Антонов, В. М. Устинов, А. Е. Жуков, “Экспериментальное исследование умножителей частоты на полупроводниковых сверхрешетках в терагерцовом диапазоне частот”, Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012), 125–129; Semiconductors, 46:1 (2012), 121–125
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PavKosIva12}
\by Д.~Г.~Павельев, Ю.~И.~Кошуринов, А.~С.~Иванов, А.~Н.~Панин, В.~Л.~Вакс, В.~И.~Гавриленко, А.~В.~Антонов, В.~М.~Устинов, А.~Е.~Жуков
\paper Экспериментальное исследование умножителей частоты на полупроводниковых сверхрешетках в терагерцовом диапазоне частот
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 1
\pages 125--129
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8132}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319063}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 1
\pages 121--125
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612010150}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8132
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i1/p125
    • Эта публикация цитируется в следующих 45 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025