Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 1, страницы 130–133 (Mi phts8133)  
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Modelling and simulation of saturation region in double gate Graphene nanoribbon transistors

Mahdiar Ghadirya, Mahdieh Nadib, Meysan Rahmanic, Mohamad Ahmadic, Asrulnizam Abd Mahafa

a School of Electrical and Electronic Engineering, Engineering Campus, University Sains Malaysia, Penang, Malaysia
b Department of Computer Engineering, Ashtian Branch, Islamic Azad University, Ashtian, Iran
c Faculty of Electrical and Electronics, University Technologi Malaysia, Skudai, Malaysia
PDF полного текста (249 kB) Список цитирования (9)
Аннотация: A novel analytical model for surface field distribution and saturation region length for double gate graphene nanoribbon transistors has been proposed. The solution for surface potential and electric field has been derived based on Poisson equation. Using the proposed models, the effects of several parameters such as drain-source voltage, oxide thickness and channel length on the length of saturation region and electric field near the drain have been studied.
Поступила в редакцию: 23.05.2011
Принята в печать: 28.06.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 1, Pages 126–129
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612010101
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: Mahdiar Ghadiry, Mahdieh Nadi, Meysan Rahmani, Mohamad Ahmadi, Asrulnizam Abd Mahaf, “Modelling and simulation of saturation region in double gate Graphene nanoribbon transistors”, Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012), 130–133; Semiconductors, 46:1 (2012), 126–129
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GhaNadRah12}
\by Mahdiar~Ghadiry, Mahdieh~Nadi, Meysan~Rahmani, Mohamad~Ahmadi, Asrulnizam~Abd Mahaf
\paper Modelling and simulation of saturation region in double gate Graphene nanoribbon transistors
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 1
\pages 130--133
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8133}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319064}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 1
\pages 126--129
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612010101}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8133
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i1/p130
    • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025