|
|
Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 1, страницы 134–139
(Mi phts8134)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Естественные неоднородности в распределении туннельного тока по площади обратносмещенного кремниевого $p$–$n$-перехода
В. А. Козловa, С. В. Оболенскийb, В. Б. Шмагинa, З. Ф. Красильникa a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
Методом Монте-Карло рассчитаны распределения электрического поля, потенциала и вероятности межзонного туннелирования по площади обратносмещенного $p$–$n$-перехода с учетом дискретности распределения заряда ионизованных доноров и акцепторов. Расчеты выполнены в трехмерном приближении на основе принципа суперпозиции электрических полей пар ионов “ионизованный донор-ионизованный акцептор”. Показано, что в области скопления трех и более пар ионов с характерным расстоянием между ними около половины длины волны де Бройля наблюдается увеличение вероятности туннелирования, связанное с локальным увеличением напряженности электрического поля.
Поступила в редакцию: 30.06.2011 Принята в печать: 11.07.2011
Образец цитирования:
В. А. Козлов, С. В. Оболенский, В. Б. Шмагин, З. Ф. Красильник, “Естественные неоднородности в распределении туннельного тока по площади обратносмещенного кремниевого $p$–$n$-перехода”, Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012), 134–139; Semiconductors, 46:1 (2012), 130–135
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts8134 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i1/p134
|
|