Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 1, страницы 134–139 (Mi phts8134)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Естественные неоднородности в распределении туннельного тока по площади обратносмещенного кремниевого $p$$n$-перехода

В. А. Козловa, С. В. Оболенскийb, В. Б. Шмагинa, З. Ф. Красильникa

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация: Методом Монте-Карло рассчитаны распределения электрического поля, потенциала и вероятности межзонного туннелирования по площади обратносмещенного $p$$n$-перехода с учетом дискретности распределения заряда ионизованных доноров и акцепторов. Расчеты выполнены в трехмерном приближении на основе принципа суперпозиции электрических полей пар ионов “ионизованный донор-ионизованный акцептор”. Показано, что в области скопления трех и более пар ионов с характерным расстоянием между ними около половины длины волны де Бройля наблюдается увеличение вероятности туннелирования, связанное с локальным увеличением напряженности электрического поля.
Поступила в редакцию: 30.06.2011
Принята в печать: 11.07.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 1, Pages 130–135
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612010137
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Козлов, С. В. Оболенский, В. Б. Шмагин, З. Ф. Красильник, “Естественные неоднородности в распределении туннельного тока по площади обратносмещенного кремниевого $p$$n$-перехода”, Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012), 134–139; Semiconductors, 46:1 (2012), 130–135
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KozOboShm12}
\by В.~А.~Козлов, С.~В.~Оболенский, В.~Б.~Шмагин, З.~Ф.~Красильник
\paper Естественные неоднородности в распределении туннельного тока по площади обратносмещенного кремниевого $p$--$n$-перехода
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 1
\pages 134--139
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8134}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319065}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 1
\pages 130--135
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612010137}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8134
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i1/p134
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025