|
|
Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 2, страницы 152–157
(Mi phts8139)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Спектроскопия, взаимодействие с излучениями
Генерация терагерцового излучения поверхностным баллистическим фототоком при субпикосекундном лазерном возбуждении полупроводников
П. А. Зезюляa, В. Л. Малевичb, И. С. Манакa, А. Кроткусc a Белорусский государственный университет,
220030 Минск, Беларусь
b Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси,
220072 Минск, Беларусь
c Центр физических и технологических исследований,
LT-01108 Вильнюс, Литва
Аннотация:
Построена аналитическая модель формирования поверхностного баллистического фототока при лазерном фемтосекундном возбуждении кубических полупроводников. Показано, что вклад параллельного поверхностного фототока в генерацию терагерцовых импульсов может быть сравним с вкладом нормальной компоненты фототока. Учет кубической симметрии полупроводникового кристалла приводит к азимутальной анизотропии терагерцовой генерации.
Поступила в редакцию: 20.06.2011 Принята в печать: 10.08.2011
Образец цитирования:
П. А. Зезюля, В. Л. Малевич, И. С. Манак, А. Кроткус, “Генерация терагерцового излучения поверхностным баллистическим фототоком при субпикосекундном лазерном возбуждении полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 152–157; Semiconductors, 46:2 (2012), 143–148
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts8139 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i2/p152
|
|