Влияние отжига на люминесценцию кристаллов CuI $p$-типа проводимости

Исследование спектров фотолюминесценции образцов CuI с различным содержанием собственных дефектов были выполнены при температуре 80K с использованием непрерывного и импульсного оптического возбуждения. Обнаружены пики свечения связанных и свободных экситонов, а также рекомбинации электронов на мелкие и глубокие уровни кристаллических дефектов. Установлено наличие включений гексагональной фазы в кристаллах иодида меди после высокотемпературного отжига.