Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 2, страницы 164–167 (Mi phts8141)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Явление обратного адсорбционного пьезоэлектрического эффекта в полупроводниковых материалах CdTe, CdHgTe

О. А. Федяева

Омский государственный технический университет, 644050 Омск, Россия
Аннотация: Исследования структуры, химического состава, адсорбционных, электрофизических и оптических свойств поверхности твердых растворов системы Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te позволили установить неизвестное ранее явление обратного адсорбционного пьезоэлектрического эффекта. На примере полупроводниковых соединений CdTe и Cd$_{0.2}$Hg$_{0.2}$Te показано, что адсорбционное заряжение поверхности вызывает релаксацию зарядов, локализованных на медленных поверхностных состояниях, проявляющуюся в виде импульсов напряжения и обусловливающую структурные перестройки и релаксацию поверхности.
Поступила в редакцию: 07.04.2011
Принята в печать: 21.07.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 2, Pages 155–158
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612020091
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. А. Федяева, “Явление обратного адсорбционного пьезоэлектрического эффекта в полупроводниковых материалах CdTe, CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 164–167; Semiconductors, 46:2 (2012), 155–158
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Fed12}
\by О.~А.~Федяева
\paper Явление обратного адсорбционного пьезоэлектрического эффекта в полупроводниковых материалах CdTe, CdHgTe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 2
\pages 164--167
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8141}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319072}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 2
\pages 155--158
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612020091}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8141
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i2/p164
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025