Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 2, страницы 184–187 (Mi phts8145)  
Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Влияние послеростовой термической обработки на структурные и оптические свойства InP/InAsP/InP нитевидных нанокристаллов

Г. Э. Цырлинabc, M. Tchernychevad, G. Patriarchee, J.-C. Harmande

a Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
d Institut d’Electronique Fondamentale UMR 8622 CNRS, Universite Paris-Sud, 91405 Orsay Cedex, France
e LPN CNRS, 91460 Marcoussis, France
PDF полного текста (666 kB) Список цитирования (12)
Аннотация: Рассмотрено влияние послеростового отжига гетероструктурных InP/InAsP/InP нитевидных нанокристаллов, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на их структурные и оптические свойства. Показано, что процедура кратковременного отжига (1 мин) в атмосфере аргона позволяет повысить интенсивность излучения от InAsP-квантовых точек, подавить излучение от InAsP-квантовых ям, образованных вследствие латерального роста и существенно понизить плотность структурных дефектов в нитевидных нанокристаллах.
Поступила в редакцию: 04.07.2011
Принята в печать: 11.07.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 2, Pages 175–178
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612020224
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. Э. Цырлин, M. Tchernycheva, G. Patriarche, J.-C. Harmand, “Влияние послеростовой термической обработки на структурные и оптические свойства InP/InAsP/InP нитевидных нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 184–187; Semiconductors, 46:2 (2012), 175–178
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{CirTchPat12}
\by Г.~Э.~Цырлин, M.~Tchernycheva, G.~Patriarche, J.-C.~Harmand
\paper Влияние послеростовой термической обработки на структурные и оптические свойства InP/InAsP/InP нитевидных нанокристаллов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 2
\pages 184--187
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8145}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319076}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 2
\pages 175--178
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612020224}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8145
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i2/p184
    • Эта публикация цитируется в следующих 12 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025