Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 2, страницы 188–193 (Mi phts8146)  
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Формирование (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов и изучение их магнитных свойств

А. Д. Буравлевabc, Г. Э. Цырлинabd, В. В. Романовe, Н. Т. Баграевae, Е. С. Брилинскаяe, Н. А. Лебедеваc, С. В. Новиковc, H. Lipsanenc, В. Г. Дубровскийabe

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
c Aalto University, Aalto, FI-00076, Finland
d Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
e Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (1543 kB) Список цитирования (11)
Аннотация: Метод молекулярно-пучковой эпитаксии использован для синтеза массивов (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов на поверхности GaAs(111)B в диапазоне ростовых температур 480–680$^\circ$C. Установлено, что формирование полученных нитевидных нанокристаллов может быть описано в рамках механизма “пар-жидкость-кристалл”. Показано, что рост (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов должен происходить в условиях, стабилизированных по галлию. Выявлено, что полевые и температурные зависимости статической магнитной восприимчивости образцов, полученных при температуре 660$^\circ$C, демонстрируют парамагнитное поведение.
Поступила в редакцию: 04.07.2011
Принята в печать: 11.07.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 2, Pages 179–183
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612020042
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, В. В. Романов, Н. Т. Баграев, Е. С. Брилинская, Н. А. Лебедева, С. В. Новиков, H. Lipsanen, В. Г. Дубровский, “Формирование (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов и изучение их магнитных свойств”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 188–193; Semiconductors, 46:2 (2012), 179–183
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BouCirRom12}
\by А.~Д.~Буравлев, Г.~Э.~Цырлин, В.~В.~Романов, Н.~Т.~Баграев, Е.~С.~Брилинская, Н.~А.~Лебедева, С.~В.~Новиков, H.~Lipsanen, В.~Г.~Дубровский
\paper Формирование (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов и изучение их магнитных свойств
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 2
\pages 188--193
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8146}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319077}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 2
\pages 179--183
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612020042}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8146
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i2/p188
    • Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025