Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 2, страницы 194–197 (Mi phts8147)  
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Влияние дефектообразования при встраивании $\delta$-слоя Mn на спектр фоточувствительности от квантовых ям InGaAs/GaAs

А. П. Горшков, И. А. Карпович, Е. Д. Павлова, И. Л. Калентьева

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 603600 Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (196 kB) Список цитирования (7)
Аннотация: Исследовано влияние дефектообразования при нанесении $\delta$-слоя Mn и покровного слоя GaAs лазерным испарением на спектры фоточувствительности гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, расположенными в приповерхностной области.
Поступила в редакцию: 06.07.2011
Принята в печать: 11.07.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 2, Pages 184–187
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261202011X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. П. Горшков, И. А. Карпович, Е. Д. Павлова, И. Л. Калентьева, “Влияние дефектообразования при встраивании $\delta$-слоя Mn на спектр фоточувствительности от квантовых ям InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 194–197; Semiconductors, 46:2 (2012), 184–187
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GorKarPav12}
\by А.~П.~Горшков, И.~А.~Карпович, Е.~Д.~Павлова, И.~Л.~Калентьева
\paper Влияние дефектообразования при встраивании $\delta$-слоя Mn на спектр фоточувствительности от квантовых ям InGaAs/GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 2
\pages 194--197
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8147}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319078}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 2
\pages 184--187
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261202011X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8147
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i2/p194
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025