Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 2, страницы 198–203 (Mi phts8148)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Структурные превращения в ZnS:Cu в процессе термического отжига

Ю. Ю. Бачериков, Н. Е. Корсунская, В. П. Кладько, Е. Ф. Венгер, Н. П. Баран, А. В. Кучук, А. Г. Жук

Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
Аннотация: Исследовано влияние отжига при 800$^\circ$C на спектры фотолюминесценции, электронного парамагнитного резонанса и рентгеновской дифракции порошкообразного ZnS:Cu, полученного методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза из шихты, содержащей Zn, S и CuCl. Показано, что вариация скорости нагрева материала до температуры отжига приводит к немонотонному изменению спектрального положения и ширины на полувысоте полосы фотолюминесценции в сине-зеленой области спектра, а также концентрации парамагнитных центров Mn$^{2+}$. Установлено, что после синтеза в порошке присутствуют кубическая и гексагональная фазы ZnS, а также фазы ZnO и CuZn. Показано, что отжиг полученного порошка при 800$^\circ$C приводит к протеканию трех процессов: преобразованию гексагональной фазы ZnS в кубическую, окислению ZnS и CuZn, а также диффузии Cu в объем микрокристаллов ZnS из фазы CuZn. Предложена модель, объясняющая наблюдающиеся изменения в спектрах люминесценции и электронного парамагнитного резонанса протеканием процессов диффузии примесей Cu и Mn в объем микрокристаллов, в частности из фазы CuZn, а также их акккумуляцией на протяженных дефектах.
Поступила в редакцию: 05.07.2011
Принята в печать: 11.07.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 2, Pages 188–192
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612020030
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. Ю. Бачериков, Н. Е. Корсунская, В. П. Кладько, Е. Ф. Венгер, Н. П. Баран, А. В. Кучук, А. Г. Жук, “Структурные превращения в ZnS:Cu в процессе термического отжига”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 198–203; Semiconductors, 46:2 (2012), 188–192
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BacKorKla12}
\by Ю.~Ю.~Бачериков, Н.~Е.~Корсунская, В.~П.~Кладько, Е.~Ф.~Венгер, Н.~П.~Баран, А.~В.~Кучук, А.~Г.~Жук
\paper Структурные превращения в ZnS:Cu в процессе термического отжига
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 2
\pages 198--203
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8148}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319079}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 2
\pages 188--192
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612020030}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8148
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i2/p198
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025