Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 2, страницы 204–209 (Mi phts8149)  

Эта публикация цитируется в 21 научных статьях (всего в 21 статьях)

Углеродные системы

Энергетическая щель в плотности состояний однолистного графена, наводимая адсорбцией

С. Ю. Давыдов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: На основании простой модели показано, что монослой адатомов, связанных косвенным обменом, вызывает появление щели в плотности состояний двумерной подложки. Подробно анализируется характер зависимости $\pi$- и $\pi^*$-зон и ширины щели от положения уровня адатома. Определены числа заполнения для монослоя адатомов и графена. Численные оценки приведены для графана.
Поступила в редакцию: 16.05.2011
Принята в печать: 15.06.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 2, Pages 193–198
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612020066
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Ю. Давыдов, “Энергетическая щель в плотности состояний однолистного графена, наводимая адсорбцией”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 204–209; Semiconductors, 46:2 (2012), 193–198
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Dav12}
\by С.~Ю.~Давыдов
\paper Энергетическая щель в плотности состояний однолистного графена, наводимая адсорбцией
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 2
\pages 204--209
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8149}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319080}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 2
\pages 193--198
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612020066}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8149
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i2/p204
  • Эта публикация цитируется в следующих 21 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025