|
|
Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 2, страницы 204–209
(Mi phts8149)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 21 научных статьях (всего в 21 статьях)
Углеродные системы
Энергетическая щель в плотности состояний однолистного графена, наводимая адсорбцией
С. Ю. Давыдов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
На основании простой модели показано, что монослой адатомов, связанных косвенным обменом, вызывает появление щели в плотности состояний двумерной подложки. Подробно анализируется характер зависимости $\pi$- и $\pi^*$-зон и ширины щели от положения уровня адатома. Определены числа заполнения для монослоя адатомов и графена. Численные оценки приведены для графана.
Поступила в редакцию: 16.05.2011 Принята в печать: 15.06.2011
Образец цитирования:
С. Ю. Давыдов, “Энергетическая щель в плотности состояний однолистного графена, наводимая адсорбцией”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 204–209; Semiconductors, 46:2 (2012), 193–198
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts8149 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i2/p204
|
|