Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 2, страницы 219–223 (Mi phts8152)  
Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Низкочастотный шум в исходных и деградировавших синих InGaAs/GaN-светодиодах

А. Л. Закгеймa, М. Е. Левинштейнb, В. П. Петровb, А. Е. Черняковa, Е. И. Шабунинаb, Н. М. Шмидтb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (301 kB) Список цитирования (12)
Аннотация: Приведены результаты исследования спектральной плотности шума и ее зависимости от плотности тока в исходных и деградировавших синих светодиодах на основе InGaN/GaN квантоворазмерных структур. Показано, что генерация дефектов в процессе деградации происходит неоднородно и концентрируется вдоль протяженных дефектов, пронизывающих активную область светодиодов. Выяснено, что снижение значений внешней квантовой эффективности в процессе старения вызвано усилением неоднородности протекания тока, приводящим к формированию шунтов и областей локального перегрева. Эти эффекты – причины, типичного для синих светодиодов, неоднозначно развития деградационного процесса, затрудняющего прогнозирование срока службы светодиодов.
В узком диапазоне плотностей тока 10$^{-2}$–10$^{-1}$ А/см$^2$, соответствующему развитию излучательной рекомбинации, обнаружен эффект подавления шума.
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 2, Pages 208–212
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261202025X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Л. Закгейм, М. Е. Левинштейн, В. П. Петров, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, “Низкочастотный шум в исходных и деградировавших синих InGaAs/GaN-светодиодах”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 219–223; Semiconductors, 46:2 (2012), 208–212
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZakLevPet12}
\by А.~Л.~Закгейм, М.~Е.~Левинштейн, В.~П.~Петров, А.~Е.~Черняков, Е.~И.~Шабунина, Н.~М.~Шмидт
\paper Низкочастотный шум в исходных и деградировавших синих InGaAs/GaN-светодиодах
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 2
\pages 219--223
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8152}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319083}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 2
\pages 208--212
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261202025X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8152
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i2/p219
    • Эта публикация цитируется в следующих 12 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025