|
|
Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 2, страницы 231–234
(Mi phts8154)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Фоточувствительность тонкопленочных солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se$_2$/Mo, полученных на различных подложках
В. Ю. Рудьa, Ю. В. Рудьb, В. Ф. Гременокc, Е. И. Теруковb, Б. Х. Байрамовb, Y. W. Songd a Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, 220072 Минск, Белоруссия
d Korea Polytechnic University, 2121, Jungwang-dong, Siheung-city, Gyeonggi-do, 429-793, Korea
Аннотация:
Представлены результаты по измерению первых спектров относительной квантовой эффективности фотопреобразования тонкопленочных солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se$_2$/Mo, изготовленных на жесткой (стекло) и гибкой (полиимид) подложках. Исследован характер межзонных переходов и определены значения ширины запрещенной зоны для прямых и непрямых переходов в тонких пленках Cu(In,Ga)Se$_2$. Обнаружено, что с переходом от жеских к гибким подложкам наблюдается смещение максимальной фоточувствительности полученных солнечных элементов в коротковолновую спектральную область. Сделан вывод о возможностях применений тонкопленочных структур Cu(In,Ga)Se$_2$ в качестве широкополосных фотопреобразователей солнечного излучения.
Поступила в редакцию: 29.06.2011 Принята в печать: 11.07.2011
Образец цитирования:
В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, В. Ф. Гременок, Е. И. Теруков, Б. Х. Байрамов, Y. W. Song, “Фоточувствительность тонкопленочных солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se$_2$/Mo, полученных на различных подложках”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 231–234; Semiconductors, 46:2 (2012), 221–224
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts8154 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i2/p231
|
|