Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 2, страницы 247–251 (Mi phts8157)  

Физика полупроводниковых приборов

Исследование эффективности вывода излучения из меза-светодиодов на основе узкозонной активной области InAsSb

Е. А. Гребенщикова, А. Н. Именков, С. С. Кижаев, А. С. Головин, Ю. П. Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Создана серия светодиодов (длина волны максимума излучения $\lambda_{\mathrm{max}}$ = 3.6 мкм при комнатной температуре) с мезами в форме конуса высотой от 10 до 130 мкм. Конусы имели вогнутую боковую поверхность. Исследована зависимость эффективности излучения таких светодиодов от высоты мезы при разных токах инжекции при температурах 77 и 298 K. Характер наблюдаемой зависимости согласуется с теоретическими расчетами. Показано, что эффективный коэффициент поглощения, обусловленный выводом излучения из кристалла, может достигать 3 см$^{-1}$ для светодиодов с мезой наибольшей высоты из данной серии (130 мкм). Коэффициент вывода излучения из кристалла приблизился к 30% при температуре 298 K и к 94% при 77 K.
Поступила в редакцию: 25.07.2011
Принята в печать: 01.08.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 2, Pages 236–240
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612020121
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. А. Гребенщикова, А. Н. Именков, С. С. Кижаев, А. С. Головин, Ю. П. Яковлев, “Исследование эффективности вывода излучения из меза-светодиодов на основе узкозонной активной области InAsSb”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 247–251; Semiconductors, 46:2 (2012), 236–240
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GreImeKiz12}
\by Е.~А.~Гребенщикова, А.~Н.~Именков, С.~С.~Кижаев, А.~С.~Головин, Ю.~П.~Яковлев
\paper Исследование эффективности вывода излучения из меза-светодиодов на основе узкозонной активной области InAsSb
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 2
\pages 247--251
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8157}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319088}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 2
\pages 236--240
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612020121}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8157
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i2/p247
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025