|
|
Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 2, страницы 247–251
(Mi phts8157)
|
|
|
|
Физика полупроводниковых приборов
Исследование эффективности вывода излучения из меза-светодиодов на основе узкозонной активной области InAsSb
Е. А. Гребенщикова, А. Н. Именков, С. С. Кижаев, А. С. Головин, Ю. П. Яковлев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Создана серия светодиодов (длина волны максимума излучения $\lambda_{\mathrm{max}}$ = 3.6 мкм при комнатной температуре) с мезами в форме конуса высотой от 10 до 130 мкм. Конусы имели вогнутую боковую поверхность. Исследована зависимость эффективности излучения таких светодиодов от высоты мезы при разных токах инжекции при температурах 77 и 298 K. Характер наблюдаемой зависимости согласуется с теоретическими расчетами. Показано, что эффективный коэффициент поглощения, обусловленный выводом излучения из кристалла, может достигать 3 см$^{-1}$ для светодиодов с мезой наибольшей высоты из данной серии (130 мкм). Коэффициент вывода излучения из кристалла приблизился к 30% при температуре 298 K и к 94% при 77 K.
Поступила в редакцию: 25.07.2011 Принята в печать: 01.08.2011
Образец цитирования:
Е. А. Гребенщикова, А. Н. Именков, С. С. Кижаев, А. С. Головин, Ю. П. Яковлев, “Исследование эффективности вывода излучения из меза-светодиодов на основе узкозонной активной области InAsSb”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 247–251; Semiconductors, 46:2 (2012), 236–240
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts8157 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i2/p247
|
|