Дифракционные решетки с отражением в высоком порядке для мощных полупроводниковых лазеров

Для осуществления селективной обратной связи в полупроводниковом лазере предложено создавать в одном из эмиттеров глубокую дифракционную решетку с большим периодом ($\sim$2 мкм). Расчеты частотной зависимости коэффициента отражения в 12-м порядке дифракции для прямоугольных, треугольных и трапециевидных дифракционных решеток показали, что для получения максимального коэффициента отражения волноводной моды в лазерной структуре следует использовать дифракционную решетку глубиной $\sim$2 мкм прямоугольной или трапециевидной формы. С использованием фотолитографических методов и реактивного ионного травления в эмиттере Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As лазерной структуры GaAs/AlGaAs были созданы глубокие дифракционные решетки трапециевидной формы с большим периодом.