Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 2, страницы 258–261 (Mi phts8159)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Неравномерность пространственного распределения отрицательной люминесценции в фотодиодах на основе InAsSb(P) (длинноволновая граница $\lambda_{0.1}$ = 5.2 мкм)

С. А. Карандашевa, Б. А. Матвеевa, И. В. Мжельскийb, В. Г. Половинкинb, М. А. Ременныйa, А. Ю. Рыбальченкоa, Н. М. Стусьa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (358 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Представлен анализ пространственной неравномерности интенсивности отрицательной люминесценции и сгущения линий прохождения тока в фотодиодах среднего инфракрасного диапазона на основе InAsSb(P) в зависимости от величины приложенного напряжения и размера контакта. Показано, что указанная неравномерность является одной из основных причин низкой чувствительности фотодиодов, имеющих невысокое значение динамического сопротивления в нуле смещения и работающих в режиме фототока.
Поступила в редакцию: 25.07.2011
Принята в печать: 01.08.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 2, Pages 247–250
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612020157
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, И. В. Мжельский, В. Г. Половинкин, М. А. Ременный, А. Ю. Рыбальченко, Н. М. Стусь, “Неравномерность пространственного распределения отрицательной люминесценции в фотодиодах на основе InAsSb(P) (длинноволновая граница $\lambda_{0.1}$ = 5.2 мкм)”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 258–261; Semiconductors, 46:2 (2012), 247–250
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KarMatMzh12}
\by С.~А.~Карандашев, Б.~А.~Матвеев, И.~В.~Мжельский, В.~Г.~Половинкин, М.~А.~Ременный, А.~Ю.~Рыбальченко, Н.~М.~Стусь
\paper Неравномерность пространственного распределения отрицательной люминесценции в фотодиодах на основе InAsSb(P) (длинноволновая граница $\lambda_{0.1}$ = 5.2 мкм)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 2
\pages 258--261
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8159}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319090}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 2
\pages 247--250
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612020157}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8159
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i2/p258
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025