Ионное легирование германия натрием

Впервые получены доказательства донорных свойств Na при введении его имплантацией в $p$-Ge с удельным сопротивлением 20–40 Ом $\cdot$ см. Изучены профили Na, имплантированного в Ge (энергия 70 и 77 кэВ, дозы (0.8,3,30) $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-2}$). Установлены дозы и температуры отжига, при которых термозонд регистрирует $n$-тип проводимости на поверхности образца. После имплантации профили характеризуются протяженным хвостом, глубина максимума концентрации хорошо согласуется с рассчитанным средним пробегом ионов $R_p$. Отжиг при температурах 250–700$^\circ$C (30 мин) вызывает перераспределение Na с образованием сегрегационных пиков на глубине, зависящей от ионной дозы, и сопровождается диффузией атомов к поверхности с последующим испарением. После отжига при температуре 700$^\circ$C в матрице остается менее 7% имплантированных атомов. Вид хвостовых участков профилей, измеренных после отжига при температурах 300–400$^\circ$C, указывает на диффузию вглубь небольшой доли атомов Na.