Анодные пленки Ga$_2$O$_3$. Влияние термического отжига на свойства пленок

Исследовано влияние термического отжига и воздействия кислородной плазмы на электрические и диэлектрические характеристики пленок окисла галлия. Пленки Ga$_2$O$_3$ толщиной 200–300 нм получали анодированием пластин арсенида галлия $n$-типа проводимости с концентрацией доноров $N_d$ = (1–2) $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-3}$. После отжига при 900$^\circ$C в течение 30 мин пленки оксида галлия содержат только $\beta$-фазу Ga$_2$O$_3$. Изучено влияние времени воздействия кислородной плазмы до отжига на зарождение кристаллитов $\beta$-фазы с различной ориентацией. Установлено, что электропроводность пленок Ga$_2$O$_3$ может управляться термическим отжигом и изменением времени обработки в кислородной плазме. Показано, что отклик структуры V/Ni–GaAs–Ga$_2$O$_3$–V/Ni на выдыхаемую человеком смесь зависит от величины и знака потенциала на управляющем электроде.