Влияние облучения электронами на электрофизические параметры Hg$_3$In$_2$Te$_6$

Представлены результаты исследования электрофизических свойств кристаллов Hg$_3$In$_2$Te$_6$, облученных электронами с энергией $E_e$ = 18 МэВ и дозой $D$ = 4 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-2}$. Показано, что независимо от концентрации носителей заряда исходного материала образцы Hg$_3$In$_2$Te$_6$ после облучения приобретают концентрацию носителей (1.6–1.8) $\cdot$ 10$^{13}$ см$^{-3}$. Обсуждается явление стабилизации уровня Ферми в облученном материале. Исходная концентрация носителей заряда, которая практически остается неизменной после облучения и обеспечивает высокую радиационную стойкость кристаллов Hg$_3$In$_2$Te$_6$, соответствует компенсированному материалу, подобному собственному полупроводнику при $T>$ 260 K.