Об особенностях процессов рекомбинации в слоистых пленках $a$-Si : H

Спектральный состав поглощаемого света определяет тип генерации носителей тока – межзонную или смешанную генерацию, которая включает также генерацию электронов с уровней хвоста валентной зоны. Тип генерации влияет на величину и температурную зависимость темпа рекомбинации электронов в слоистых пленках $a$-Si : H. Это влияние обусловлено изменением заполнения электронами уровней оборванных связей кремния и уровней хвоста валентной зоны при смене типа генерации носителей тока. В результате при смешанной генерации носителей тока в исследованных пленках, имеющих малую врожденную концентрацию оборванных связей, рекомбинация электронов на них мала и рекомбинация на уровнях хвоста валентной зоны может преобладать вплоть до комнатных температур.