Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 3, страницы 334–337 (Mi phts8174)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Электронные свойства полупроводников

Вольт-амперные характеристики монокристаллов соединения MnGa$_2$Se$_4$

Б. Г. Тагиевa, О. В. Тагиевab, С. Г. Асадуллаеваa, Г. Й. Эйюбовa

a Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, AZ-1143 Баку, Азербайджан
b Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Бакинский филиал, AZ-1143 Баку, Азербайджан
PDF полного текста (234 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Представлены результаты исследований вольт-амперных характеристик образцов монокристаллов MnGa$_2$Se$_4$. Измерения проводились в интервале электрических полей от выполнения закона Ома до 10 В/см и температур 300–400 K. Полученные данные обсуждены в рамках теорий инжекционно-контактных явлений и полевой ионизации ловушек за счет эффекта Пула–Френкеля.
Поступила в редакцию: 14.03.2011
Принята в печать: 01.09.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 3, Pages 319–322
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612030207
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Б. Г. Тагиев, О. В. Тагиев, С. Г. Асадуллаева, Г. Й. Эйюбов, “Вольт-амперные характеристики монокристаллов соединения MnGa$_2$Se$_4$”, Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012), 334–337; Semiconductors, 46:3 (2012), 319–322
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TagTagAsa12}
\by Б.~Г.~Тагиев, О.~В.~Тагиев, С.~Г.~Асадуллаева, Г.~Й.~Эйюбов
\paper Вольт-амперные характеристики монокристаллов соединения MnGa$_2$Se$_4$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 3
\pages 334--337
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8174}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319105}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 3
\pages 319--322
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612030207}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8174
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i3/p334
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025