Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединений A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ с высокой плотностью дислокаций

На основе теоретического анализа температурной зависимости контактного сопротивления $\rho_c$ омических контактов к структурам $n$–$n^+$–$n^{++}$-GaAs (аналогично к GaP-, GaN-, InP-структурам) предложен новый механизм роста $\rho_c$ с повышением температуры измерения $T$, наблюдаемый экспериментально в диапазоне 100–400 K. Получено хорошее соответствие экспериментальных и теоретических зависимостей $\rho_c(T)$, объясненное для случая высокой плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, на которых локализованы металлические шунты.