AlGaInN-светодиоды с прозрачным $p$-контактом на основе тонких пленок ITO

Разработан способ получения прозрачных проводящих пленок ITO (indium tin oxide), предназначенных для использования в светодиодах синего спектрального диапазона. Максимальный внешний квантовый выход светодиодов с $p$-контактом на основе полученных пленок достигает 25%, в то время как для аналогичных светодиодов со стандартным полупрозрачным металлическим контактом он составляет $<$ 10%. Наблюдаемое увеличение прямого падения напряжения с 3.15 до 3.37 В не оказывает существенного влияния на возможность применения данных пленок в светодиодах, так как величина оптической мощности светодиодов с прозрачным $p$-контактом на основе пленок ITO почти в 2.5 раза превышает оптическую мощность кристаллов с металлическими полупрозрачными $p$-контактами при рабочем токе 20 мА. Светодиоды с $p$-контактами на основе пленок ITO успешно выдерживали токи накачки, в 5 раз превышающие их расчетный рабочий ток, не обнаруживая признаков деградации.