Кинетика отклика тока детекторов TlBr в поле $\gamma$-излучения высокой мощности дозы

Исследована кинетика отклика фототока легированных и нелегированных образцов TlBr при облучении от $\gamma$-источника $^{137}$Cs мощностью дозы от 0.033 до 3.84 Гр/мин. Кристаллы выращивались методом направленной кристаллизации расплава по Бриджмену–Стокбаргеру. Массовая доля вносимой примеси Pb в легированных кристаллах TlBr составляла 1–10 ppm, а примеси Ca – 150 ppm. Рост кристаллов проводился в вакууме, в парах брома, в атмосфере водорода и на воздухе. Для примесных кристаллов, легированных двухвалентными катионами, независимо от атмосферы роста, а также для кристаллов, выращенных в водороде, и кристаллов, выращенных при избытке таллия, наблюдался спад фототока. Постоянная спада фототока $\tau$ составляла 30–1400 с и была пропорциональна удельному сопротивлению. Показано, что отклик тока может быть связан с фотолизом в кристаллах TlBr во время $\gamma$-облучения. Проведена оценка энергии дырочных ловушек, ответственных за медленное нарастание фототока, она составила величину 0.6–0.85 эВ.