Токи утечки в 4H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки–($p$–$n$-структурой)

Исследованы утечки в высоковольтных диодах Шоттки на основе 4H-SiC, имеющих интегрированную шоттки–($p$–$n$)-структуру (JBS, Junction Barrier Schottky). Для исследований использовались коммерческие диоды, а также специально изготовленные (на основе коммерческого эпитаксиального материала) тестовые диоды Шоттки как с JBS-структурой, так и без нее. Показано, что: 1) основную роль в протекании обратного тока играют дефекты кристаллической структуры SiC, по всей вероятности, дислокации (плотность $\sim$10$^4$ см$^{-2}$); 2) JBS-структура, формируемая с помощью имплантации бора, способствует частичному подавлению токов утечки (до 10 раз при оптимальном зазоре, между локальными $p$-областями, равном 8 мкм).