Свойства тонких пленок оксида вольфрама, формируемых методами ионно-плазменного и лазерного осаждения для детектора водорода на основе структуры MOSiC

Получены тонкопленочные структуры на основе газочувствительного оксида вольфрама и каталитической платины, нанесенных при комнатной температуре на карбидокремниевую пластину с использованием импульсных методов лазерного и ионно-плазмeнного осаждения. Нагрев на воздухе до 600$^\circ$C оксидных слоев вызывал формирование микро- и наноструктурированных кристаллических состояний, зависящих от условий осаждения. Структурные различия отражались на электрофизических параметрах и стабильности характеристик. Максимальная реакция на водород обнаружена в структуре, полученной осаждением низкоэнергетичного лазерно-инициированного потока атомов вольфрама в кислороде. Сдвиг вольт-амперных кривых по напряжению в смеси 2% H$_2$ в воздухе при 350$^\circ$C достигал 4.6 В при токе $\sim$10 мкА. Метастабильность полученных структур обусловливала заметное уменьшение сдвига после длительных циклических испытаний. Наиболее стабильные величины сдвига составили $\sim$2 В при положительном смещении на Pt-контакте и были обнаружены для оксидных пленок, полученных ионно-плазменным распылением.