Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 3, страницы 425–429 (Mi phts8189)  
Эта публикация цитируется в 26 научных статьях (всего в 26 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Импульсное лазерное осаждение тонких пленок ITO и их характеристики

Д. А. Зуевa, А. А. Лотинa, О. А. Новодворскийa, Ф. В. Лебедевa, О. Д. Храмоваa, И. А. Петуховb, Ф. Н. Путилинb, А. Н. Шатохинb, М. Н. Румянцеваb, А. М. Гаськовb

a Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, г. Шатуpа Московской обл.
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, химический факультет
PDF полного текста (334 kB) Список цитирования (26)
Аннотация: Методом импульсного лазерного осаждения выращены тонкие пленки оксида индия и олова (ITO) на подложках из кварцевого стекла. Проведены исследования структурных, электрических и оптических свойств пленок ITO в зависимости от температуры подложки, давления кислорода в вакуумной камере и концентрации Sn в мишени. Пропускание полученных пленок ITO в видимой области спектра превышает 85%. Достигнуто минимальное значение удельного сопротивления 1.79 $\cdot$ 10$^{-4}$ Ом $\cdot$ см в пленках ITO с содержанием Sn 5 ат%.
Поступила в редакцию: 18.10.2011
Принята в печать: 31.10.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 3, Pages 410–413
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612030256
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. А. Зуев, А. А. Лотин, О. А. Новодворский, Ф. В. Лебедев, О. Д. Храмова, И. А. Петухов, Ф. Н. Путилин, А. Н. Шатохин, М. Н. Румянцева, А. М. Гаськов, “Импульсное лазерное осаждение тонких пленок ITO и их характеристики”, Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012), 425–429; Semiconductors, 46:3 (2012), 410–413
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZueLotNov12}
\by Д.~А.~Зуев, А.~А.~Лотин, О.~А.~Новодворский, Ф.~В.~Лебедев, О.~Д.~Храмова, И.~А.~Петухов, Ф.~Н.~Путилин, А.~Н.~Шатохин, М.~Н.~Румянцева, А.~М.~Гаськов
\paper Импульсное лазерное осаждение тонких пленок ITO и их характеристики
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 3
\pages 425--429
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8189}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319120}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 3
\pages 410--413
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612030256}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8189
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i3/p425
    • Эта публикация цитируется в следующих 26 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025