Влияние $\gamma$-облучения на электрофизические свойства термообработанных монокристаллов Tb$_x$Sn$_{1-x}$Se

Исследовано влияние $\gamma$-облучения на электрофизические свойства термообработанных монокристаллов Tb$_{0.01}$Sn$_{0.99}$Se и Tb$_{0.05}$Sn$_{0.95}$Se. Обнаружено, что после облучения $\gamma$-лучами с энергией 1.25 МэВ концентрация носителей заряда уменьшается на 17 и 6.3% соответственно в интервале температур $T$ = 77–200 K. Предполагается, что при облучении $\gamma$-квантами примеси тербия располагаются между узлами кристаллической решетки и дополнительно возникают дефекты по Френкелю.