Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами $n$-GaN

Рассмотрено влияние облучения электронами (энергии $E$ = 7 и 10 МэВ, дозы $D$ = 10$^{16}$–10$^{18}$ см$^{-2}$) и последующих термообработок в интервале температур 100–1000$^\circ$C на электрофизические свойства и спектр глубоких ловушек нелегированных (концентрации электронов $n$ = 1 $\cdot$ 10$^{14}$–1 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-3}$), промежуточно легированных ($n$ = (1.2–2) $\cdot$ 10$^{17}$ см$^{-3}$) и сильно легированных кремнием ($n$ = (2–3.5) $\cdot$ 10$^{18}$ см$^{-3}$) эпитаксиальных слоев $n$-GaN, выращенных на подложке Al$_2$O$_3$ с использованием технологии MOCVD. Обнаружено увеличение удельного сопротивления $n$-GaN при электронном облучении, обусловленное смещением уровня Ферми в предельное положение вблизи $E_c$–0.91 эВ. Исследован спектр глубоких ловушек в исходном и облученном электронами $n$-GaN. Показано, что восстановление исходных свойств облученного материала имеет место в интервале температур 100–1000$^\circ$C с основной стадией отжига радиационных дефектов вблизи 400$^\circ$C.