Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 4, страницы 463–468 (Mi phts8196)  

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Влияние легирования медью на кинетические коэффициенты и их анизотропию в PbSb$_2$Te$_4$

С. А. Немовab, Н. М. Благихa, Н. С. Дёмаa, М. К. Житинскаяa, В. И. Прошинa, Т. Е. Свечниковаc, Л. Е. Шелимоваc

a Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН, г. Москва
Аннотация: На анизотропных монокристаллах PbSb$_2$Te$_4$ и PbSb$_2$Te$_4$ : Cu измерены девять основных независимых компонент эффектов Холла, электропроводности, термоэдс, Нернста–Эттингсгаузена и их анизотропия в диапазоне 77–450 K. Кристаллы PbSb$_2$Te$_4$ имеют высокую концентрацию дырок ($p\approx$ 3 $\cdot$ 10$^{20}$ см$^{-3}$). Медь проявляет донорное действие и существенно (примерно в 2 раза) снижает концентрацию дырок в PbSb$_2$Te$_4$. Температурные зависимости кинетических коэффициентов, за исключением эффекта Холла, имеют вид, характерный для однозонной модели. Значительная анизотропия коэффициента Холла $R_{123}/R_{321}\approx$ 2 при низких температурах свидетельствует о многоэллипсоидной модели энергетического спектра дырок в PbSb$_2$Te$_4$.
Существенной особенностью данных по явлениям переноса является большая анизотропия термоэдс ($\Delta S\approx$ 60–75 мкВ/K) в области примесной проводимости, обусловленная смешанным механизмом рассеяния. Данные по анизотропии поперечного эффекта Нернста–Эттингсгаузена подтверждают смешанный механизм рассеяния дырок, причем в плоскости скола доминирует рассеяние на акустических фононах, а в направлении тригональной оси значительным оказывается примесное рассеяние. Легирование медью усиливает роль примесного рассеяния в направлении тригональной оси $c_3$, в результате чего две компоненты тензора Нернста–Эттингсгаузена $Q_{321}$ и $Q_{132}$ в монокристалле PbSb$_2$Te$_4$ : Cu при низких температурах положительны, в то время как в нелегированном кристалле положительна только компонента $Q_{321}$.
Поступила в редакцию: 29.09.2011
Принята в печать: 10.10.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 4, Pages 447–451
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612040161
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Немов, Н. М. Благих, Н. С. Дёма, М. К. Житинская, В. И. Прошин, Т. Е. Свечникова, Л. Е. Шелимова, “Влияние легирования медью на кинетические коэффициенты и их анизотропию в PbSb$_2$Te$_4$”, Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012), 463–468; Semiconductors, 46:4 (2012), 447–451
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NemBlaDem12}
\by С.~А.~Немов, Н.~М.~Благих, Н.~С.~Дёма, М.~К.~Житинская, В.~И.~Прошин, Т.~Е.~Свечникова, Л.~Е.~Шелимова
\paper Влияние легирования медью на кинетические коэффициенты и их анизотропию в PbSb$_2$Te$_4$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 4
\pages 463--468
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8196}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319128}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 4
\pages 447--451
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612040161}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8196
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i4/p463
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025