Поглощательная способность полупроводников, используемых в производстве солнечных панелей

Исследованы зависимости поглощательной способности пролупроводников от толщины поглощающего слоя: кристаллического кремния ($c$-Si), аморфного кремния ($a$-Si), теллурида кадмия (CdTe), диселенида индия (CuInSe$_2$, CIS) и диселенида галлия (CuGaSe$_2$, CGS). Расчеты выполнены с учетом спектрального распределения стандартного солнечного излучения AM1.5 и коэффициентов поглощения материалов. Показано, что в области длин волн $\lambda=\lambda_g=hc/E_g$ практически полное поглощение фотонов в солнечном излучении AM1.5 достигается в $c$-Si при толщине $d$ = 7–8 мм, в $a$-Si при $d$ = 30–60 мкм, в CdTe при $d$ = 20–30 мкм, в CIS и CGS при $d$ = 3–4 мкм. Полученные результаты отличаются от литературных данных для этих материалов (особенно для $c$-Si), когда толщина полупроводника, необходимая для полного поглощения солнечного излучения, идентифицируется с эффективной глубиной проникновения света на некоторой длине волны в области фундаментального поглощения полупроводника.